(1) メモリ方式
1) RDin
赤色LED表示用データ入力。HighでLED「ON」、LowでLED「OFF」。
2) GRin
緑色LED表示用データ入力。HighでLED「ON」、LowでLED「OFF」。
3)
CLKin
クロック入力。RDin、GRinのデータ取り込みに使用します。データの取り込みは、CLKの立上がりエッジで内部シフトレジスタに取り込みます。
4) A0in-A3(A4)in
RAM アドレス入力。表示データを書き込むメモリのアドレスを指定します。
5) WEin
書き込み制御信号。High
レベルにて、内部シフトレジスタの内容を、メモリに書き込みます。(AEinがHighのときのみ有効です。)
6) AEin
アドレス制御信号。Highレベルにて、そのときのA0in-A3(A4)inのアドレスが指定されます。
7) A/
BBin
データを書き込むメモリの選択制御信号。HighレベルにてARAM、LowレベルにBRAMが選択されます。(SEinがHighのときのみ有効)書き込みに指定されていないメモリの内容が表示されます。
8)
SEin
メモリの選択を外部よりの制御で行うか、内部で行うかを切り替えます。HighレベルでA/BBin信号によりARAM、BRAMの切り替えを行います。ARAM
が書き込み指定されている場合はBRAMのデータが表示され、BRAMが書き込みに指定されている場合は、ARAMのデータが表示されます。
Lowレベルの場合はメモリの最終アドレス15番地(23番地)を書き込んだ後、次の0番地からは、別のメモリに書き込みが行われます。表示データも、書き込みメモリが切り替わると同時に変わります。
9) ENBin
表示出力イネーブル。Highレベルにて表示状態 Lowレベルにて無表示状態となります。
1)
RDout
赤色LED表示データ出力。内部の16(24、32、48)ビットシフトレジスタを通った信号が、CLKに同期して出力されます。LEDモジュールを直列に接続する場合、次のモジュールのRDinに接続します。
2)
GRout
緑色LED表示データ出力。内部の16(24、32、48)ビットシフトレジスタを通った信号が、CLKに同期して出力されます。LEDモジュールを直列に接続する場合、次のモジュールのGRinに接続します。
3) CLKout
CLK信号出力。CLKinの信号が出力されます。次のモジュールのCLKinに接続します。
4) A0-A3 (A4) out
アドレス信号出力。A0in-A3 (A4) inの信号が出力されます。次のモジュールのA0in-A3 (A4)
inに接続します。
5) WEout
WE (書き込み制御) 信号出力。WEinの信号が出力されます。次のモジュールのWEinに接続します。
6) AEout
AE (アドレス制御) 信号出力。AEinの信号が出力されます。次のモジュールのAEinに接続します。
7) A/ BBout
A/BB (書き込みメモリ選択)
信号出力。A/BBinの信号が出力されます。次のモジュールのA/BBinに接続します。
8) SEout
SE (メモリ選択制御) 信号出力。SEinの信号が出力されます。次のモジュールのSEinに接続します。
9) ENBout
ENB信号出力。ENBinの信号が出力されます。次のモジュールのENBinに接続します。
1) GND
制御回路用電源グランド
2) VLED
LED用電源
3) GNDLED
LED用電源グランド
4) VDD
制御回路用電源
(1) 表示部変形、はんだクラック発生の危険性がありますので、製品を落とさないでください。
(2)
データ転送が逆にならないよう取付方向を厳守してください。
(3) 内部発熱による光度低下及びそのほかの動作異常の原因となりますので、ファン等を用いて放熱には十分注意してください。
(4)
LEDの点灯数量により電源必要電流が大幅に変動するため、供給電源は急激的な負荷変動にも十分余裕があり、安定な物を使用してください。
(5)
特にユニットを連結して使用されるときは、全体の発熱及び熱膨張を考慮した余裕のある筐体設計としてください(参考値:隣接ギャップ0.3mm )。
(6)
本体表示面をこすりつけたり、シンナー等の有機溶剤を用いないでください。
(7)
製品は、高密度LSIを使用していますので静電気には十分ご注意ください。
(8) ショートさせたり、必要以上に高電圧をかけないでください。
(9)
直接回路に、雨風が吹き込むような環境下で使用しないでください。
(10)
本品を高周波数で作動させるとき、またユニットを連結し信号ケーブル長が長くなるときは、ノイズによる誤動作を考慮し、シールド線を使用したり終端処理を行ってください。
(11)LEDの特性上、点灯頻度の高いLEDと低いLEDでは、経時的に輝度差が発生します。特に点灯箇所を固定しご使用される場合は、顕著にその差が生じますのでご了解ください。
(12)
制御回路用電源のグランド及びLED用電源のグランドは電源装置付近でクランプしてください。
(注) 本品は外国為替及び外国貿易管理法に定める戦略物資 (または役務) に該当するおそれがありますので、輸出する場合は、当社にお問い合わせください。本品は、耐放射線設計を行っておりません。
No. | CN-1信号名 | No. | CN-2信号名 | No. | CN-3信号名 |
---|---|---|---|---|---|
1 | SEin | 1 | AEout | 1 | GND |
2 | A / BBin | 2 | RDout | 2 | VLED |
3 | A3in | 3 | WEout | 3 | VLED |
4 | A2in | 4 | CLKout | 4 | GNDLED |
5 | A1in | 5 | GRout | 5 | GNDLED |
6 | A0in | 6 | GND | 6 | VDD |
7 | GND | 7 | A0out | ||
8 | GRin | 8 | A1out | ||
9 | CLKin | 9 | A2out | ||
10 | WEin | 10 | A3out | ||
11 | RDin | 11 | A / BBout | ||
12 | AEin | 12 | SEout |
(1) 16×16, 16×32 メモリタイプ
表示データはクロックの立ち上がりで取り込まれ、立ち下がりで出力されます。
AEinが“H”の区間データは取り込まれず、出力は前のデータが保持されます。
RAMの切り替えはA/BB
(SEin=“H”)
あるいは、A0〜A3のアドレスFが保持されAEinが立ち下がることにより、切り替わります。
A/BBによるRAMの切り替え選択時は通常 (A)
のタイミングで行います。
RAMの切り替えタイミングは表示に無関係で切り替わります。
AEinはCLKinが“L”の間に立ち下げてください。
Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
クロック周波数 | f | − | − | 20MHz | アドレスセットアップ時間 | tSA | 15 | − | − |
アドレスイネーブル保持時間(1) | tWE1 | 10 | − | − | アドレスホールド時間 | tHA | 15 | − | − |
アドレスイネーブル保持時間(2) | tWE2 | 10 | − | − | データセットアップ時間 | tSD | 10 | − | − |
ライトパルス時間 | tWP | 30 | − | − | データホールド時間 | tHD | 10 | − | − |
RAM選択時間(1) | tS1 | 15 | − | − | アドレスイネーブルセットアップ時間 | tSAE | 10 | − | − |
RAM選択時間(2) | tS2 | 15 | − | − | アドレスイネーブルホールド時間 | tHAE | 5 | − | − |
(指定なき単位はns) |
コントローラ部入力タイミング図 |